光伏技術(shù)可直接將太陽(yáng)的光能轉(zhuǎn)換為電能，用此技術(shù)制作的光電池使用方便，特別是近年來微小型半導(dǎo)體逆變器迅速發(fā)展，促使其應(yīng)用更加快捷。美、日、歐和發(fā)展中國(guó)家都制定出龐大的光伏技術(shù)發(fā)展計(jì)劃，開發(fā)方向是大幅度提高光電池轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性，降低成本，不斷擴(kuò)大產(chǎn)業(yè)。目前已有80多個(gè)國(guó)家和地區(qū)形成商業(yè)化、半商業(yè)化生產(chǎn)能力，年均增長(zhǎng)達(dá)16%，市場(chǎng)開拓從空間轉(zhuǎn)向地面系統(tǒng)應(yīng)用，甚至用于驅(qū)動(dòng)交通工具。據(jù)報(bào)道，全球發(fā)展、建造太陽(yáng)能住宅（光電池作屋頂、外墻、窗戶等建材用）投資規(guī)模為600億美元，而到2005年還會(huì)再翻一倍達(dá)1200億美元，光伏技術(shù)制作的光電池有望成為21世紀(jì)的新能源。
材料分類與產(chǎn)業(yè)
　　以下按其材料分類，展示光伏技術(shù)、產(chǎn)業(yè)及市場(chǎng)發(fā)展動(dòng)向。
晶體硅光電池
　　晶體硅光電池有單晶硅與多晶硅兩大類，用P型（或n型）硅襯底，通過磷（或硼）擴(kuò)散形成Pn結(jié)而制作成的，生產(chǎn)技術(shù)成熟，是光伏市場(chǎng)上的主導(dǎo)產(chǎn)品。采用埋層電極、表面鈍化、強(qiáng)化陷光、密柵工藝、優(yōu)化背電極及接觸電極等技術(shù)，提高材料中的載流子收集效率，優(yōu)化抗反射膜、 凹凸表面、高反射背電極等方式，光電轉(zhuǎn)換效率有較大提高。單晶硅光電池面積有限，目前比較大的為Φ10至20cm的圓片，年產(chǎn)能力46MW/a。目前主要課題是繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)業(yè)規(guī)模，開發(fā)帶狀硅光電池技術(shù)，提高材料利用率。國(guó)際公認(rèn)最高效率在AM1.5條件下為24%，空間用高質(zhì)量的效率在AM0條件約為13.5-18%，地面用大量生產(chǎn)的在AM1條件下多在11-18%之間。以定向凝固法生長(zhǎng)的鑄造多晶硅錠代替單晶硅，可降低成本，但效率較低。優(yōu)化正背電極的銀漿和鋁漿絲網(wǎng)印刷，切磨拋工藝，千方百計(jì)進(jìn)一步降成本，提高效率，大晶粒多晶硅光電池的轉(zhuǎn)換效率最高達(dá)18.6%。
非晶硅光電池
　　a-Si（非晶硅）光電池一般采用高頻輝光放電方法使硅烷氣體分解沉積而成的。由于分解沉積溫度低，可在玻璃、不銹鋼板、陶瓷板、柔性塑料片上沉積約1μm厚的薄膜，易于大面積化 （0.5m×1.0m），成本較低，多采用p in結(jié)構(gòu)。為提高效率和改善穩(wěn)定性，有時(shí)還制成三層p in 等多層疊層式結(jié)構(gòu)，或是插入一些過渡層。其商品化產(chǎn)量連續(xù)增長(zhǎng)，年產(chǎn)能力45MW/a，10MW生產(chǎn)線已投入生產(chǎn)，全球市場(chǎng)用量每月在1千萬(wàn)片左右，居薄膜電池首位。發(fā)展集成型a-Si光電池組 件，激光切割的使用有效面積達(dá)90%以上，小面積轉(zhuǎn)換效率提高到14.6%，大面積大量生產(chǎn)的為8-10%，疊層結(jié)構(gòu)的最高效率為21%。研發(fā)動(dòng)向是改善薄膜特性，精確設(shè)計(jì)光電池結(jié)構(gòu)和控制各層厚度，改善各層之間界面狀態(tài)，以求得高效率和高穩(wěn)定性。
多晶硅光電池
　　p-Si（多晶硅，包括微晶）光電池沒有光致衰退效應(yīng)，材料質(zhì)量有所下降時(shí)也不會(huì)導(dǎo)致光電池受影響，是國(guó)際上正掀起的前沿性研究熱點(diǎn)。在單晶硅襯底上用液相外延制備的p-Si光電池轉(zhuǎn) 換效率為15.3%，經(jīng)減薄襯底，加強(qiáng)陷光等加工，可提高到23.7%，用CVD法制備的轉(zhuǎn)換效率約為12.6-17.3%。采用廉價(jià)襯底的p-Si薄膜生長(zhǎng)方法有PECVD和熱絲法，或?qū)�a-Si：H材料膜進(jìn)行后退火，達(dá)到低溫固相晶化，可分別制出效率9.8%和9.2%的無退化電池。微晶硅薄膜生長(zhǎng)與a-Si工藝相容，光電性能和穩(wěn)定性很高，研究受到很大重視，但效率僅為7.7%。大面積低溫p-Si膜與-Si組成疊層電池結(jié)構(gòu)，是提高a-S光電池穩(wěn)定性和轉(zhuǎn)換效率的重要途徑，可更充分利用太陽(yáng)光譜，理論計(jì)算表明其效率可在28%以上，將使硅基薄膜光電池性能產(chǎn)生突破性進(jìn)展。銅
銦硒光電池
　　CIS（銅銦硒）薄膜光電池已成為國(guó)際光伏界研究開發(fā)的熱門課題，它具有轉(zhuǎn)換效率高（已達(dá)到17.7%），性能穩(wěn)定，制造成本低的特點(diǎn)。CIS光電池一般是在玻璃或其它廉價(jià)襯底上分別沉積多層膜而構(gòu)成的，厚度可做到2-3μm，吸收層CIS膜對(duì)電池性能起著決定性作用。現(xiàn)已開發(fā)出反應(yīng)共蒸法和硒化法（濺射、蒸發(fā)、電沉積等）兩大類多種制備方法，其它外層通常采用真空蒸發(fā)或 濺射成膜。阻礙其發(fā)展的原因是工藝重復(fù)性差，高效電池成品率低，材料組分較復(fù)雜，缺乏控制薄膜生長(zhǎng)的分析儀器。CIS光電池正受到產(chǎn)業(yè)界重視，一些知名公司意識(shí)到它在未來能源市場(chǎng)中的前景和所處地位，積極擴(kuò)大開發(fā)規(guī)模，著手組建中試線及制造廠。
碲化鎘光電池
　　CdTe（碲化鎘）也很適合制作薄膜光電池，其理論轉(zhuǎn)換效率達(dá)30%，是非常理想的光伏材料。可采用升華法、電沉積、噴涂、絲網(wǎng)印刷等10種較簡(jiǎn)便的加工技術(shù)，在低襯底溫度下制造出效率12%以上的CdTe光電池，小面積CdTe光電池的國(guó)際先進(jìn)水平光電轉(zhuǎn)換率為15.8%，一些公司正深入研究與產(chǎn)業(yè)化中試，優(yōu)化薄膜制備工藝，提高組件穩(wěn)定性，防范Cd對(duì)環(huán)境污染和操作者的健康危害。
砷化鎵光電池
　　GaAs（砷化鎵）光電池大多采用液相外延法或MOCVD技術(shù)制備。用GaAs作襯底的光電池效率高 達(dá)29.5%（一般在19.5%左右），產(chǎn)品耐高溫和輻射，但生產(chǎn)成本高，產(chǎn)量受限，目前主要作空間電源用。以硅片作襯底，用MOCVD技術(shù)異質(zhì)外延方法制造GaAs電池是降低成本很有希望的方法。
其它材料光電池
　　InP（磷化銦）光電池的抗輻射性能特別好，效率達(dá)17-19%，多用于空間方面。采用SiGe單晶襯底，研制出在AM0條件下效率大于20%的GaAs/Si異質(zhì)結(jié)外延光電池，最高效率23.3%。Si/Ge/GaAs結(jié)構(gòu)的異質(zhì)外延光電池在不斷開發(fā)中，控制各層厚度，適當(dāng)變化結(jié)構(gòu)，可使太陽(yáng)光中各 種波長(zhǎng)的光子能量都得到有效利用，GaAs基多層結(jié)構(gòu)光電池效率已接近40%。
技術(shù)展望
　　國(guó)內(nèi)自1958年起研究光伏技術(shù)，目前正加速發(fā)展光伏技術(shù)，完善、提高及應(yīng)用開發(fā)a-Si 制備技術(shù)，約有30個(gè)科研單位和10個(gè)生產(chǎn)廠，生產(chǎn)能力超過5.5MW/a。由于受市場(chǎng)及材料問題的困擾，生產(chǎn)成本高，實(shí)際產(chǎn)量只有1.5-2MW/a。在2001-2020年，擬實(shí)施光伏電源推動(dòng)計(jì)劃，發(fā)展戶用光伏（50W）、小型光伏（10-0KW）、特種光伏系統(tǒng)和聯(lián)網(wǎng)光伏電站規(guī)劃，以市場(chǎng)帶動(dòng)技術(shù)發(fā)展。
　　人類生活的衣、食、住、行都離不開能源，開發(fā)新能源的光伏技術(shù)已成為國(guó)際上熱門課題，每年都有大型國(guó)際性會(huì)議研討光伏技術(shù)，MW級(jí)中、大型光伏電站正在全球建設(shè)和發(fā)展，10MW級(jí)的也已建成投產(chǎn)。展望21世紀(jì)，效率高、成本低的薄膜化光電池將占光伏技術(shù)的主導(dǎo)地位，附有太陽(yáng)光發(fā)電系統(tǒng)的住宅將會(huì)逐漸普及，二十年代有望在空間建造太陽(yáng)能電站，用微波或激光等電能傳輸技術(shù)將電能送到地面供電。有專家建議在各大洲建立大型光伏發(fā)電站，用超導(dǎo)電纜連接成全球性太陽(yáng)能發(fā)電廠超導(dǎo)聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)，使供電不受晝夜變化影響，迎來一個(gè)光伏技術(shù)的新時(shí)代。